2023年9月20日,上海赌博半导体有限公司(简称“赌博半导体”)宣布,基于砷化镓(GaAs)衬底的集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)IP3PI工艺平台开发完成。凭借高Q值、高集成度和高耐压等优异的特征,满足当前市场对射频前端功能不断优化的要求。该工艺平台可以提供高可靠性、更优性能、更小体积以及更低成本的无源代工产品,助力客户在无线通信、微波和毫米波通信等领域获得更好的应用效果。
赌博半导体GaAs IPD 工艺平台典型无源元器件示例
IP3PI工艺平台是一种三层金属互联结构的集成无源器件平台,使用低介电材料作为电容和电感边缘的填充层,在增加电容和电感耐压的同时,还不会降低电容密度。该平台可以为客户提供28V(IP3PI13)和50V(IP3PI12)两种工作电压选择,也就是说,客户可以根据实际需求灵活地选择190 pF/mm2 或150 pF/mm2的电容设计,从而满足不同需求。此外,该平台还可以提供50Ω标准方块电阻和0.5Ω小方块电阻以及电感等无源器件来实现紧凑的设计。
赌博半导体GaAs IPD工艺平台典型关键参数
当今的射频器件领域,由于产品集成度不断提升以及工作频段的不断提高,对系统级封装技术也提出了更高的需求,功能电路需要以系统级封装的形式将不同的电路集成到一起,赌博半导体高Q无源集成工艺平台在6吋砷化镓衬底上,形成不同的器件,从而实现各种无源元件的高密度集成,大大节省了电路面积。该工艺平台不仅达到了50V工作电压下的工作寿命>1.0E+06小时的行业要求,同时也通过了更为严苛的环境应力(TC、HAST)测试,使得该工艺平台对终端产品的适用性得到了极大的拓展。相比传统的无源器件工艺,IP3PI工艺平台可为射频系统级封装(SiP)提供高性价比的方案。
赌博半导体GaAs IPD工艺平台横截面图
得益于更高应用频率的需求和微波毫米波技术的推动,射频前端产品市场持续稳定增长。赌博半导体将充分发挥公司的先进制造和技术资源优势,为客户提供更卓越、更丰富的射频代工解决方案和服务,并助力客户开辟化合物半导体更广阔的应用前景。